
單晶生長爐是一種用于生長單晶體的設(shè)備,在半導(dǎo)體、光學(xué)、電子等多個(gè)領(lǐng)域有著至關(guān)重要的作用,主要包括以下幾個(gè)方面: 1.半導(dǎo)體材料制備:在半導(dǎo)體行業(yè),單晶硅是制造集成電路芯片的關(guān)鍵材料。單晶生長爐通過正確控制溫度、氣氛、拉速等參數(shù),能夠生長出大尺寸、高純度、低缺陷的單晶硅錠。這些單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨、拋光等后續(xù)加工工序,制成硅片,為芯片制造提供基礎(chǔ)材料。高質(zhì)量的單晶硅對于提高芯片的性能、降低功耗以及提高成品率具有決定性作用。

單晶生長爐具有以下特點(diǎn): 1.正確控制方面 溫度正確:能夠?qū)囟瓤刂圃诜浅U_的范圍內(nèi),比如直拉法生長硅單晶時(shí),要將石英坩堝內(nèi)多晶硅原料加熱到 1450℃以上并保持穩(wěn)定。熱場溫度分布的正確度直接影響晶體生長的質(zhì)量,若溫度波動(dòng)過大,可能導(dǎo)致晶體產(chǎn)生缺陷、雜質(zhì)分布不均勻等問題。

單晶生長爐是一種用于生長單晶材料的設(shè)備,以下將從其工作原理、結(jié)構(gòu)組成、應(yīng)用領(lǐng)域等維度展開詳細(xì)介紹: 1.工作原理 直拉法:把多晶材料放入石英坩堝內(nèi),用石墨加熱器加熱使其熔化。將籽晶固定在籽晶軸上,插入熔體表面,待籽晶與熔體熔合后,慢慢向上拉籽晶,同時(shí)控制籽晶的旋轉(zhuǎn)速度,晶體便會(huì)在籽晶下端生長。通過控制拉速、溫度、坩堝轉(zhuǎn)速等參數(shù),實(shí)現(xiàn)晶體的生長,如單晶硅的生長大多采用直拉法。

超高溫?zé)Y(jié)爐具有以下特點(diǎn): 1.高溫特性 超高溫度范圍:超高溫?zé)Y(jié)爐最顯著的特點(diǎn)就是能夠提供較高的溫度環(huán)境,一般可達(dá)到 1800℃以上,甚至部分優(yōu)良設(shè)備能突破 3000℃,如采用石墨發(fā)熱體結(jié)合特殊隔熱材料的燒結(jié)爐,可滿足碳化硼、氮化硼等超硬材料以及一些難熔金屬的燒結(jié)需求。